Компания Silicon Power анонсировала свою первую серию оперативной памяти, ориентированной на требовательных игроманов и пользователей, которые любят разгонять свои системы. Линейка Xpower пока представлена только одиночными модулями DDR2-1066 ёмкостью один или два гигабайта, а также парными комплектами общей ёмкостью до…
Заядлым геймерам и любителям разгона компания Compustocx GmbH (CSX) адресует новые трёхканальные наборы памяти DDR3 из популярной серии Diablo, которые предназначены для эффективного использования в платформах на базе чипсета Intel X58 Express и оптимизированы под процессоры Intel семейства Core i7…
О выходе модулей памяти с пониженным номинальным напряжением мы обычно говорили применительно к модулям типа DDR3. С выходом платформы LGA 1366 многие производители оверклокерской памяти выпустили трёхканальные комплекты, работающие в режиме DDR3-2000 при напряжении 1.65В и относительно агрессивных таймингах. Этот…
По данным аналитической компании inSpectrum, контрактные цены на гигабайтные модули DDR2 памяти вновь начали снижаться. На протяжении февраля средний уровень цен оставался стабильным, а с начала марта упал на 1,2% с $8,45 до $8,35. Более подробная информация о динамике цен…
Компания Super Talent Technology заявила о доступности целого ряда новых продуктов. Среди новинок — модули регистровой памяти DDR3 (RDIMM), а также небуферизованная память с функцией коррекции ошибок (ECC UDIMM). UDIMM модули доступны в вариантах 1 и 2Гб. Максимальная производительность 1333 мегатранзакций…
Компания Patriot Memory добавила в ассортимент выпускаемых ею продуктов новые трёхканальные наборы памяти DDR3 суммарным объёмом 3 и 6Гб, вошедшие в фирменную продуктовую линейку Signature Series. Каждый из комплектов, включающих трио 240-контактных DIMM-модулей, предназначен для эффективного использования в платформах на…
Переход компании Intel на использование трёхканальной памяти в своих флагманских настольных системах непроизвольно увеличил объём готовых комплектов памяти типа DDR3. Например, при использовании модулей объёмом 1Гб совокупный объём трёхканального комплекта достигает 3Гб, а при использовании модулей объёмом 2Гб он увеличивается…
Компании NEC и NEC Electronics заявили об успешной демонстрации работающей памяти магниторезистивного типа (Magnetic Random Access Memory, MRAM) емкостью 32 Мбит, которая может быть использована для встраивания в решениях класса «система-на-чипе» (SoC) и в других микросхемах. Хотя разработки MRAM ведутся…
Южнокорейская компания Samsung официально объявила о начале серийного изготовления высокопроизводительных интегральных микросхем графической памяти стандарта GDDR5. Разработанные с учетом максимальной производительности в 7,0Гбит/с полупроводниковые устройства, изготовленные по 50нм технологическому процессу, позволят организовать подсистему памяти графических адаптеров с пропускной способностью 28Гб…
Южнокорейская компания Hynix Semiconductor анонсировала успешное завершение разработки 1Гбит чипа DDR3, построенного с применением 44нм технологии. Утверждается, что продукт с подобным сочетанием характеристик – первый в мире, а его производительность по сравнению с прежними, 54нм чипами, возросла на 50%. Компания…