Южнокорейская компания Samsung официально объявила о начале серийного изготовления высокопроизводительных интегральных микросхем графической памяти стандарта GDDR5. Разработанные с учетом максимальной производительности в 7,0Гбит/с полупроводниковые устройства, изготовленные по 50нм технологическому процессу, позволят организовать подсистему памяти графических адаптеров с пропускной способностью 28Гб/с. Таким образом, указанный параметр будет увеличен сразу в два раза, по сравнению с пропускной способностью подсистемы памяти на основе микросхем стандарта GDDR4.
Благодаря освоению прецизионной 50нм технологии изготовления интегральных микросхем компания Samsung ожидается увеличение эффективности изготовления устройств на 100%, по сравнению с 60нм техпроцессом. Что же касается потребляемой мощности, то она, благодаря снижению рабочего напряжения с 1,8В до 1, 35В, будет снижена примерно на 20%.
Благодаря выпуску указанных интегральных микросхем графической памяти, компания Samsung рассчитывает уже в 2009 году завоевать до 20% всего рынка памяти для графических адаптеров.