Тайваньская компания Hynix Semiconductor сообщила о разработке интегральных микросхем оперативной памяти, предназначенных специально для работы с портативными MID-аппаратами, в частности, основанными на платформе Intel Moorestown. В данном случае речь идет о микрочипах памяти DDR SDRAM информационной емкостью 4Гбит. Пока устройства находятся на стадии подготовки серийного производства, старт которого запланирован на третий квартал 2009 года.
Максимальная скорость передачи данных составляет 400 Мбит в секунду, что в купе с 32-разрядным интерфейсом ввода-вывода позволяет обрабатывать до 1,6Гб информации в секунду. Полупроводниковые устройства полностью соответствуют спецификациям JEDEC. При разработке микросхем памяти исследователи поставили перед собой цель не только добиться достаточно высокой производительности, но и получить в итоге экономичные устройства, что является одним из основных условий, предъявляемых к памяти для портативных аппаратов.
Разработчики сообщают, что микросхемы памяти будут поставляться на рынок в двух вариантах — как в MCP-, так и PDP-корпусах.