Компания ProMOS Technologies официально заявила о разрыве соглашения с Hynix Semiconductor о производстве DRAM микросхем по 54нм техпроцессу. Отраслевые обозреватели считают, что такой шаг ProMOS позволит ей активнее развивать отношения с Elpida Memory, а также в будущем с пока еще не сформированной Taiwan Memory Company.
Как отметил представитель компании ProMOS Бен Цень (Ben Tseng), разрыв соглашения не повлияет на совместную работу в отношении других техпроцессов. В 2005 году ProMOS завершила переход на 90нм техпроцесс Hynix, в 2007 году был внедрен 70нм техпроцесс. Но вот с “54нм” возникли трудности, которые напрямую связаны с тяжелым финансовым положением ProMOS. Компании попросту не хватает денежных средств для покупки соответствующего оборудования у Hynix.
ProMOS и Hynix подписали соглашение в 2008 году. Согласно этому договору, Hynix предоставляет своему партнеру новую 54-нм технологию, при этом ProMOS отдает ей 8% своих акций.