Компания Samsung уже продемонстрировала память типа DDR2-800, выпущенную по 40нм технологии, но применить её при производстве памяти типа DDR3 она обещала не ранее конца текущего года.
Другой крупный производитель памяти, компания Hynix Semiconductor, вчера объявила о получении микросхем памяти типа DDR3 плотностью один гигабит, выпущенной по 40нм технологии. Память должна быть одобрена компанией Intel, поскольку она выпущена в соответствии со спецификациями.
Память Hynix нового поколения может работать в режимах до DDR3-2133 включительно при широком диапазоне напряжений. С одной кремниевой пластины Hynix получает в полтора раза больше микросхем, чем при использовании 50нм технологии. Технология «трёхмерного транзистора» позволяет снизить токи утечки и общий уровень энергопотребления памяти. Массовое производство памяти типа DDR3 в микросхемах плотностью 1Гбит по 40нм технологии начнётся в третьем квартале текущего года.
Hynix рассчитывает со временем перенести на 40нм техпроцесс производство других типов памяти, например, применяемой при изготовлении видеокарт. Компания надеется, что во втором полугодии выпущенная по 40нм технологии память типа DDR3 займёт на рынке лидирующие позиции.