Агонизирующая компания Qimonda на этой неделе сообщила, что освоила производство памяти типа DDR3 по 46нм технологии. Компания Samsung не могла оставаться безучастной, и тоже сообщила о выпуске памяти типа DDR2, произведённой по 40нм технологии. Модули памяти типа DDR2-800 в конструктивном исполнении SO-DIMM прошли одобрение Intel на совместимость с чипсетом Intel GM45.
Экономия за счёт снижения энергопотребления достигает 30%, если сравнивать новую память с предшественницей, выпущенной по 50нм технологии. Кроме того, более «тонкий» техпроцесс позволяет получать до 60% больше микросхем с одной кремниевой пластины. Samsung собирается приступить к производству микросхем DDR3 с использованием 40нм технологии к концу 2009 года.
По оценкам Samsung, этот техпроцесс позволит компании приступить к разработке высокопроизводительной памяти следующего поколения, например, DDR4. Продолжительность цикла технологической подготовки производства с переходом на 40нм техпроцесс уменьшится в два раза.