Пример компании Hynix доказывает, что с переходом на более «тонкие» техпроцессы память не только увеличивает частотный потенциал, но и снижает уровень энергопотребления. Кроме того, производитель памяти получает возможность выпускать более плотные микросхемы и экономить на удельной себестоимости.
Компания Elpida сегодня заявила о готовности начать массовое производство микросхем памяти типа DDR3 по 50нм технологии в январе-марте 2009 года. Новый 50нм техпроцесс с использованием иммерсионной литографии и оборудования с длиной волны 193нм позволяет микросхемы памяти площадью менее 40 кв.мм. Кроме стандартного напряжения 1.5 В, новые микросхемы памяти типа DDR3 в исполнении Elpida способны работать при напряжениях 1.35В и 1.2В. Максимальное снижение энергопотребления достигает 50% по сравнению с микросхемами памяти, выпускаемыми по 70нм технологии.
Примечательно, что диапазон рабочих частот 50нм памяти Elpida лежит в широком диапазоне: от режима DDR3-800 до режима DDR3-2500. Благодаря высоким частотам и низким номинальным напряжениям, память Elpida нового поколения может найти применение не только в составе платформы LGA 1366, но и в серверном сегменте, а также мобильных устройствах. Elpida активно ведёт подготовку к переходу на 50нм техпроцесс в производстве изделий для сегмента потребительской электроники.